CHIP DE SAMSUNG

Samsung Electronics anunció que ha realizado un adelanto significativo en su esfuerzo por lograr chips con mayor capacidad de memoria al desarrollar el primer chip DRAM DDR3 de 4GB del mundo, utilizando tecnología de proceso de 50 namómetros (nm). Dado que cada vez son más los centros de datos que buscan reducir la cantidad de servidores que utilizan, el desarrollo de un DDR3 de 4Gb de bajo consumo se ha convertido en un elemento esencial para reducir los costos de centros de datos, y así mejorar el tiempo de gestión de servidores e incrementar la eficiencia general.
Para la nueva generación de servidores “verdes”, la alta densidad del chip DDR3 de 4Gb combinada con su menor nivel de consumo de energía no sólo proporcionará una reducción en los montos de las facturas de electricidad, sino que también posibilitará recortes en cargos por financiación, gastos de mantenimiento y gastos por reparaciones relacionados con generadores de energía y equipos que emiten calor.
El chip DDR3 de 4Gb puede producirse en módulos duales de memoria en línea registrados (RDIMM) de 16GB para servidores, así como en módulos duales de memoria en línea sin búfer (UDIMM) de 8GB para estaciones de trabajo y computadoras de escritorio, y en módulos duales de memoria en línea de contorno pequeño (SODIMM) de 8 GB para computadoras portátiles. Mediante la aplicación de la tecnología de paquetes de doble núcleo, este nuevo dispositivo puede brindar módulos de hasta 32GB, ofreciendo el doble de capacidad que los módulos de memoria basados en la mayor densidad de chips anterior, que era de 2Gb. Diseñado para que sea de bajo consumo, el chip DRAM DDR3 de 4Gb funciona a 1,35 voltios (V), lo cual mejora su rendimiento en un 20 por ciento con respecto a los chips DDR3 de 1,5V. Su velocidad máxima es de 1,6GB por segundo (Gbps).
En configuraciones de módulos de 16GB, los chips DDR3 de 4Gb pueden consumir 40 por ciento menos energía que los chips DDR3 de 2Gb debido a su mayor densidad y porque solamente utilizan la mitad de la memoria DRAM (32 chips contra 64). Por medio de una agresiva conversión a la producción con tecnología de 50 nm para lograr unidades DDR3 de mayor densidad, Samsung intenta continuar siendo el líder indiscutible en memorias DRAM de alta capacidad/alto rendimiento.
De acuerdo con la empresa de análisis e investigación de mercado International Data Corporation (IDC), el mercado mundial de DRAMs DDR3 constituirá el 29 por ciento del mercado total de DRAMs en el 2009 y el 75 por ciento en el año 2011. Además, IDC estima que las DRAMs DDR3 de 2Gb o superiores conformarán el tres por ciento del mercado total de DRAMs en el 2009 y el 33 por ciento en el 2011 (unidades en bits).