Intel Corporation y Micron Technology Inc. dieron a conocer hoy una tecnología de memoria NAND Flash de alta velocidad que puede acelerar considerablemente el acceso y la transferencia de datos en dispositivos que utilizan sistemas de almacenaje de silicio. La nueva tecnología (desarrollada conjuntamente por Intel y Mircon, y manufacturada por la empresa conjunta de memoria NAND Flash de ambas compañías, IM Flash Technologies (IMFT), es cinco veces más rápida que la tecnología NAND convencional, lo que permite que se transfieran datos en una fracción del tiempo para aplicaciones de computación, video, fotografía y otras aplicaciones para computadoras.
La nueva memoria NAND de alta velocidad puede alcanzar velocidades de hasta 200 megabytes por segundo (MB/s) para leer datos y de 100 MB/s para escribir datos, lo cual se logra al aprovechar la nueva especificación ONFI 2.0 y una arquitectura de cuatro planos con velocidades de reloj más altas. En comparación, la memoria NAND convencional de celdas de un nivel está limitada a una velocidad de 40 MB/s para la lectura de datos y de menos de 20 MB/s para escribir datos.
"Micron espera liberar las todas las posibilidades con la memoria NAND de alta velocidad", dijo Frankie Roohparvar, vicepresidente de desarrollo de memoria NAND de Micron. "Trabajamos con un ecosistema de habilitadores y socios clave para construir y optimizar las tecnologías de sistemas que aprovechen sus capacidades de desempeño mejoradas. Micron se ha comprometido con la innovación y con la integración de nuevas características en la tecnología NAND que den origen a una poderosa solución de almacenamiento de datos para los dispositivos de electrónica de consumo y de cómputo más populares de la actualidad".
"El mercado de las computadoras da la bienvenida a soluciones basadas en la tecnología NAND para acelerar el desempeño de los sistemas a través del uso de cachés y dispositivos de estado sólido”, afirmó Pete Hazen, director de mercadotecnia del Grupo de Productos NAND de Intel. "Con 5 veces el desempeño de nuestra memoria NAND convencional, la memoria NAND de alta velocidad de Intel y Micron, basada en el estándar de la industria ONFi 2.0, hará posibles nuevas soluciones incorporadas y soluciones extraíbles que aprovechen interfaces de sistemas de alto rendimiento, incluyendo PCIe y estándares de próxima aparición como USB 3.0".
La nueva memoria NAND de alta velocidad puede alcanzar velocidades de hasta 200 megabytes por segundo (MB/s) para leer datos y de 100 MB/s para escribir datos, lo cual se logra al aprovechar la nueva especificación ONFI 2.0 y una arquitectura de cuatro planos con velocidades de reloj más altas. En comparación, la memoria NAND convencional de celdas de un nivel está limitada a una velocidad de 40 MB/s para la lectura de datos y de menos de 20 MB/s para escribir datos.
"Micron espera liberar las todas las posibilidades con la memoria NAND de alta velocidad", dijo Frankie Roohparvar, vicepresidente de desarrollo de memoria NAND de Micron. "Trabajamos con un ecosistema de habilitadores y socios clave para construir y optimizar las tecnologías de sistemas que aprovechen sus capacidades de desempeño mejoradas. Micron se ha comprometido con la innovación y con la integración de nuevas características en la tecnología NAND que den origen a una poderosa solución de almacenamiento de datos para los dispositivos de electrónica de consumo y de cómputo más populares de la actualidad".
"El mercado de las computadoras da la bienvenida a soluciones basadas en la tecnología NAND para acelerar el desempeño de los sistemas a través del uso de cachés y dispositivos de estado sólido”, afirmó Pete Hazen, director de mercadotecnia del Grupo de Productos NAND de Intel. "Con 5 veces el desempeño de nuestra memoria NAND convencional, la memoria NAND de alta velocidad de Intel y Micron, basada en el estándar de la industria ONFi 2.0, hará posibles nuevas soluciones incorporadas y soluciones extraíbles que aprovechen interfaces de sistemas de alto rendimiento, incluyendo PCIe y estándares de próxima aparición como USB 3.0".
