Logrando un nuevo avance en el desarrollo de memoria flash, SanDisk Corporation anunció que espera comenzar la producción en masa de la primera memoria flash NAND de tres bits por celda (x3) del mundo en marzo-abril de 2008. La memoria flash NAND x3 de 16 gigabits (GB) emplea la tecnología flash estándar de 56 nanómetros (nm) de SanDisk y ofrece 20 por ciento más dados por oblea en comparación con la memoria NAND Multi-Level Cell (MLC) estándar (2 bits por celda) en el mismo nodo. x3 ofrece mayor eficiencia en la manufactura y menores costos de los dados por la misma inversión de capital. La nueva arquitectura flash x3 ha estado en desarrollo durante los dos últimos años y emplea las innovaciones de diseño más avanzadas de SanDisk para lograr el mismo desempeño y alta confiabilidad encontrada en los chips de 2 bits por celda de SanDisk.
La tecnología de 3 bits por celda se desarrolló junto con Toshiba, que comparte con SanDisk el desarrollo y fabricación de las memorias flash avanzadas. Durante 2008 International Solid State Circuits Conference (ISSCC), SanDisk y Toshiba están presentando un documento técnico que describe los principales avances tecnológicos que llevaron al desarrollo de la memoria flash NAND de 3 bits por celda de 16GB sobre la tecnología de 56nm con un desempeño de escritura de 8 megabytes por segundo (MB/seg).
El Dr. Khandker N. Quader, vicepresidente de diseño de memorias flash y desarrollo de productos de SanDisk, señaló, “La innovadora arquitectura All Bit Line (ABL) patentada con los algoritmos de programación propietarios y los esquemas de administración de almacenamiento de datos de múltiples niveles se utilizaron para superar los retos de desarrollar un chip de memoria flash NAND de 3 bits por celda (3x) sin sacrificar el desempeño y la confiabilidad, preparando así el camino para el uso de 3x en muchas líneas de productos de SanDisk. Creemos que 3x es un importante avance comercial para la memoria flash que irá más allá de la Ley de More en esta y las futuras generaciones del almacenamiento flash NAND”. SanDisk cree que la introducción de la tecnología de 3 bits por celda con una velocidad de escritura similar a la memoria MLC actual le permitirá responder a las crecientes demandas del mercado de memoria flash de densidad más alta para una amplia serie de aplicaciones a un costo considerablemente menor en comparación con MLC de 2 bits por celda sobre la misma tecnología. Es esencial la experiencia avanzada al nivel de sistemas para producir memoria NAND de 3 bits por celda. La experiencia de SanDisk en esta área ofrece una ventaja competitiva única para aprovechar el poder de la tecnología de memoria NAND 3x.
(www.sandisk.com/corporate)
La tecnología de 3 bits por celda se desarrolló junto con Toshiba, que comparte con SanDisk el desarrollo y fabricación de las memorias flash avanzadas. Durante 2008 International Solid State Circuits Conference (ISSCC), SanDisk y Toshiba están presentando un documento técnico que describe los principales avances tecnológicos que llevaron al desarrollo de la memoria flash NAND de 3 bits por celda de 16GB sobre la tecnología de 56nm con un desempeño de escritura de 8 megabytes por segundo (MB/seg).
El Dr. Khandker N. Quader, vicepresidente de diseño de memorias flash y desarrollo de productos de SanDisk, señaló, “La innovadora arquitectura All Bit Line (ABL) patentada con los algoritmos de programación propietarios y los esquemas de administración de almacenamiento de datos de múltiples niveles se utilizaron para superar los retos de desarrollar un chip de memoria flash NAND de 3 bits por celda (3x) sin sacrificar el desempeño y la confiabilidad, preparando así el camino para el uso de 3x en muchas líneas de productos de SanDisk. Creemos que 3x es un importante avance comercial para la memoria flash que irá más allá de la Ley de More en esta y las futuras generaciones del almacenamiento flash NAND”. SanDisk cree que la introducción de la tecnología de 3 bits por celda con una velocidad de escritura similar a la memoria MLC actual le permitirá responder a las crecientes demandas del mercado de memoria flash de densidad más alta para una amplia serie de aplicaciones a un costo considerablemente menor en comparación con MLC de 2 bits por celda sobre la misma tecnología. Es esencial la experiencia avanzada al nivel de sistemas para producir memoria NAND de 3 bits por celda. La experiencia de SanDisk en esta área ofrece una ventaja competitiva única para aprovechar el poder de la tecnología de memoria NAND 3x.
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